パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (17件)：蔵田昌俊 , 高倉成男 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 井関守三 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-196046
公開番号（公開出願番号）：特開2012-083727
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：

【課題】CDU(Critical Dimension Uniformity)性能と欠陥性能とを高い水準で両立させることが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、(a)化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、(b)前記膜を露光することと、(c)有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでおり、前記現像液は、エステルと炭素数が7以上のケトンとを含有している。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(a)化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成することと、 (b)前記膜を露光することと、 (c)有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法であって、前記現像液は、エステルと炭素数が7以上のケトンとを含有しているパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/039 , G03F 7/32 , G03F 7/038 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 , G03F7/32 , G03F7/038 601 , H01L21/30 569E , H01L21/30 502V

Fターム (64件)：

2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096EA05 , 2H096GA03 , 2H125AF17P , 2H125AF21P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF45P , 2H125AF70P , 2H125AH06 , 2H125AH12 , 2H125AH14 , 2H125AH15 , 2H125AH16 , 2H125AH19 , 2H125AH22 , 2H125AH24 , 2H125AH25 , 2H125AH29 , 2H125AJ13X , 2H125AJ14X , 2H125AJ16Y , 2H125AJ18X , 2H125AJ54X , 2H125AJ55X , 2H125AJ58X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ67X , 2H125AJ68X , 2H125AJ97Y , 2H125AL03 , 2H125AL11 , 2H125AM12P , 2H125AM22P , 2H125AM23P , 2H125AM27P , 2H125AM32P , 2H125AM66P , 2H125AM86P , 2H125AM99P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN54P , 2H125AN57P , 2H125AN62P , 2H125AN65P , 2H125AN67P , 2H125AN86P , 2H125BA01P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125BA33P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC15 , 2H125FA01 , 2H125FA03 , 2H125FA05 , 5F146LA12

引用特許：

審査官引用 (14件)

現像方法、パターン形成方法およびこれらを用いたフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-045567 出願人：三菱電機株式会社
パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-325915 出願人：富士フイルム株式会社
レジスト現像液
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-079571 出願人：東ソー株式会社

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