特許
J-GLOBAL ID：201603013211955304

半導体装置

発明者：
木村 肇

木村 肇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-015923
公開番号（公開出願番号）：特開2016-128916
出願日： 2016年01月29日
公開日（公表日）： 2016年07月14日
要約：
【課題】発光素子の特性ばらつき、劣化に伴う電流値ばらつきを生じにくくする表示装置とその駆動方法を提供する。【解決手段】トランジスタ2105と、容量素子2107と、発光素子と、ソース信号線2101と、電流供給線2108とを有し、発光素子はトランジスタ2105によって決定される電流値に応じた輝度で発光する表示装置の駆動方法であって、トランジスタ2105のソースに第1の電位を入力する動作と、ソース信号線2101からトランジスタ2105のゲートに映像信号を入力する動作と、第1の電位と映像信号とに応じて決定される電位差を容量素子2107に保持しトランジスタ2105のソースの電位を第2の電位に変化させる動作とを含み、容量素子2107はトランジスタ2105のゲート・ソース間電圧を保持するため、トランジスタ2105の第1の電極の電位が変化しても、ゲート・ソース間電圧を一定とすることで電流値を一定とする。【選択図】図22
請求項（抜粋）：
第1乃至第3のトランジスタと、容量素子と、発光素子と、を有し、 前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのゲートは、前記容量素子と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記発光素子と電気的に接続され、 前記第1乃至前記第3のトランジスタのゲート電極は、同一の層で、かつ同一の材料を有し、 前記第2のトランジスタの半導体領域は、前記第1のトランジスタの半導体領域よりチャネル長が長く、 前記第2のトランジスタの半導体領域は、前記第3のトランジスタの半導体領域よりチャネル長が長く、 前記第2のトランジスタの半導体領域は、前記第3のトランジスタの半導体領域と同一の半導体層であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
G09F 9/30 ,  G09G 3/30 ,  G09G 3/20 ,  H01L 27/32 ,  H01L 51/50
FI (8件)：
G09F9/30 338 ,  G09G3/30 J ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 670K ,  G09G3/20 642D ,  G09G3/30 Z ,  G09F9/30 365 ,  H05B33/14 A
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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