特許
J-GLOBAL ID：201603013324626358
シリコン表面の銅支援反射防止エッチング
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
斉藤 達也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-501724
特許番号：特許第5866477号
出願日： 2013年03月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反射率を低下させる為のシリコン表面のテクスチャー加工方法であって:
シリコン表面を有する基板を容器中に配置するステップであって、前記シリコン表面が複数の銅粒子を含むステップと;
前記基板の前記シリコン表面を覆う体積のエッチング溶液を前記容器に満たすステップであって、前記エッチング溶液が、エッチング剤及びケイ素酸化剤を含む酸化剤-エッチャント溶液を含むステップと;
前記容器中で前記エッチング溶液を撹拌することによって前記シリコン表面のエッチングを行うステップであって、それによって前記シリコン表面の反射率が約350〜約1000ナノメートルの波長範囲で約5パーセント未満まで低下するステップとを含む、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ( 200 6.01)
, H01L 31/0236 ( 200 6.01)
H01L 21/306 B
, H01L 31/04 280
