特許

J-GLOBAL ID：201603013837742337

酸化物半導体膜の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  坂倉 真之 ,  宮永 昭治 ,  高橋 正弘 ,  廣橋 拓也 ,  島津 貴志
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-075790
公開番号（公開出願番号）：特開2016-167608
出願日： 2016年04月05日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：

【課題】半導体装置に用いるのに好適な新たな構造の酸化物半導体膜を提供することを目的の一とする。または、新たな構造の酸化物半導体膜を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】非晶質を主たる構成とする非晶質領域と、表面近傍の、In2Ga2ZnO7の結晶粒を含む結晶領域と、を有し、結晶粒は、そのc軸が、表面に対して略垂直な方向となるように配向している酸化物半導体膜である。または、このような酸化物半導体膜を用いた半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶領域を有する酸化物半導体膜の作製方法であって、 酸素を有する雰囲気において、酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成し、 前記酸化物半導体膜の熱処理を、水素が含まれない雰囲気で行い、 前記熱処理後の降温処理を、酸素を有する雰囲気で行うことを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/363 ,  C23C 14/58 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  C23C 14/08

FI (7件)：

H01L21/363 ,  C23C14/58 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 627F ,  H01L21/20 ,  C23C14/08

Fターム (111件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029GA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103LL08 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ02 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CD25 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152CG10 ,  5F152CG13 ,  5F152CG14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-262991   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325371   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学