特許

J-GLOBAL ID：200903074667642778

電界効果型トランジスタ

発明者： 佐野 政史 ,  中川 克己 ,  細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325371
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173580
出願日： 2005年11月09日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】非晶質酸化物を利用した新規な電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物か、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つソース電極、ドレイン電極、ゲート電極のうち少なくとも1つが、可視域の光に対して透過性を有する。電界効果トランジスタの活性層が非晶質酸化物を備え、且つゲート絶縁膜が、非晶質酸化物に接する第1層と、第1層に積層されている、該第1層とは異なる第2層を含み構成されている。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタであって、 ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、 該活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物か、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ 該ソース電極、該ドレイン電極、該ゲート電極のうち少なくとも1つが、可視域の光に対して透過性を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617T

Fターム (34件)：

5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN01 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-096983   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (6件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-081483   出願人：富士ゼロックス株式会社
• ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-266012   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-086175   出願人：ミノルタ株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-020566   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274333   出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-348260   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 高移動度(>10cm2/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の室温製膜とキャリア輸送特性