特許
J-GLOBAL ID：201603014237503394
磁界検出装置、電流検出装置、半導体集積回路、および、磁界検出方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
曾我 道治
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
, 大宅 一宏
, 上田 俊一
, 吉田 潤一郎
, 飯野 智史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-019836
公開番号（公開出願番号）：特開2014-153054
特許番号：特許第5924695号
出願日： 2013年02月04日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 外部磁界に応じた出力信号を出力する磁界検出装置であって、
基板上に設けられた2個以上の磁界検出用磁気抵抗効果素子と、
前記基板上に設けられた2個以上の参照用磁気抵抗効果素子と、
前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子の自由層の磁化容易軸方向に磁界を同時に印加するバイアス磁界印加用配線と
を備え、
前記参照用磁気抵抗効果素子および前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、それぞれ、反強磁性層と前記反強磁性層により磁化方向が固定された磁性体層とからなる固着層と、前記外部磁界によって磁化方向が変化する磁性体層からなる自由層とが積層された構造を有し、
前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものと反平行の状態のものとが直列接続されたものを含んでおり、
前記バイアス磁界印加用配線が印加する磁界の方向は、前記2個以上の参照用磁気抵抗効果素子のうち、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが平行の状態のものに対する磁界は前記固着層の磁化方向と平行であり、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが反平行の状態のものに対する磁界は前記固着層の磁化方向と反平行であり、
前記磁界検出用磁気抵抗効果素子は、前記固着層の磁化方向と前記自由層の無磁界における磁化方向とが異なる、
磁界検出装置。
IPC (2件)：
G01R 33/09 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
G01R 33/06 R
, H01L 43/08 B
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 P
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
