シリコンウェーハ及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-000046
公開番号（公開出願番号）：特開2016-124756
出願日： 2015年01月05日
公開日（公表日）： 2016年07月11日
要約：

【課題】高品質で、かつ、高強度化が図られたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により、育成するシリコン単結晶インゴット中の酸素を除く不純物のドープ濃度が結晶成長温度における固溶限の1/10以下となるように、石英ルツボに充填したシリコン原料中に前記不純物を添加し、かつ、Grown-in欠陥が生成しないように、引き上げ速度vと引き上げ方向の温度勾配Gの比v/Gを制御してシリコン単結晶インゴットを引き上げ、前記シリコン単結晶インゴットからウェーハをスライスし、前記ウェーハ表面から前記不純物を熱拡散により導入することによりシリコンウェーハを製造する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により、育成するシリコン単結晶インゴット中の酸素を除く不純物のドープ濃度が結晶成長温度における固溶限の1/10以下となるように、石英ルツボに充填したシリコン原料中に前記不純物を添加し、かつ、Grown-in欠陥が生成しないように、引き上げ速度vと引き上げ方向の温度勾配Gの比v/Gを制御して、シリコン単結晶インゴットを引き上げ、前記シリコン単結晶インゴットからウェーハをスライスし、前記ウェーハ表面から前記不純物を熱拡散により導入することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 31/08 , C30B 29/06 , C30B 33/02

FI (3件)：

C30B31/08 , C30B29/06 502H , C30B33/02

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB01 , 4G077EB03 , 4G077EB05 , 4G077EG02 , 4G077FC06 , 4G077FE05 , 4G077FE11

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコンウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-007992 出願人：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
特開平2-114534
特開平4-295099

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