特許
J-GLOBAL ID：201603014740419163
スパッタリングターゲットの製造方法、およびスパッタリングターゲット
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
原 拓実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-022540
公開番号（公開出願番号）：特開2016-145384
出願日： 2015年02月06日
公開日（公表日）： 2016年08月12日
要約：
【課題】従来工程より短縮された工程で再現性よく安定して、鋳造組織の残存なく微細な結晶組織を有し、かつ前記結晶組織がランダム配向性であり、微細なダストの原因となる前記結晶組織内のマイクロクラックなどの内部歪を低減したことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法、および前記製造方法を適用したスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】本発明は、ガス成分を含まない純度が99.99%以上で鉄、ニッケルなどの不純物が少ない円柱形状の高純度チタン素材について、前記円柱形状の外周方向から均等に温間鍛造加工を実施する工程(第1の温間鍛造)と、前記第1の温間鍛造工程を経た円柱形状のチタン材を切断し、前記円柱形状の軸方向に平行な方向に温間鍛造加工を実施する工程(第2の温間鍛造)と、冷間圧延工程と、熱処理工程とを経た後、機械加工してスパッタリングターゲットを作製する工程であるスパッタリングターゲットの製造方法、および前記製造方法を適用したスパッタリングターゲットである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガス成分を含まない純度が99.99%以上である円柱形状の高純度チタン素材につい
て、
前記円柱形状の軸方向に垂直な外周方向から温度範囲450°C〜880°Cで均等に温間鍛
造加工を実施する工程(第1の温間鍛造)と、
前記第1の温間鍛造工程を経た円柱形状のチタン材を前記円柱形状の軸方向に垂直な面で
完成厚さの8倍以上の長さに切断し、前記円柱形状の軸方向に平行な方向に温度範囲25
0°C〜450°Cで温間鍛造加工を実施する工程(第2の温間鍛造)と、
前記第2の温間鍛造工程を経た円柱形状のチタン材を、前記円柱形状の軸方向に垂直な方
向に圧下させるように冷間圧延する冷間圧延工程と、
前記冷間圧延工程を経たチタン材を、温度範囲250°C〜450°Cで熱処理する熱処理工
程と、
前記の熱処理工程を経たチタン材を機械加工してスパッタリングターゲットを作製する工
程と、
を具備することを特徴とする平均結晶粒径が15μm以下のミクロ組織を有し、結晶の配
向性がランダム配向であるスパッタリングターゲットであって、前記スパッタ面のX線回
折を測定したとき、前記スパッタ面は(100)面からの回折ピークの相対強度I(100)
と(002)面からの回折ピークの相対強度I(002)と(101)面からの回折ピークの
相対強度I(101)とがI(101)>I(002)>I(100)の条件を満足するランダム配向であり、
各面((101)面、(002)面、(100)面)の各回折ピークの半値幅が0.2d
eg未満でありマイクロクラックなどの内部歪が少ないことを特徴とするスパッタリング
ターゲットの製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C22C 14/00
, C22F 1/18
C23C14/34 A
, C22C14/00 Z
, C22F1/18 H
4K029BA60
, 4K029BD02
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC08
, 4K029DC39
