特許

J-GLOBAL ID：201603015116931522

原子スケールのALD(原子層堆積)プロセスとALE(原子層エッチング)プロセスとの統合

発明者： ケレン・ジェイコブス・カナリク ,  ジェフリー・マークス ,  ハーミート・シン ,  サマンサ・タン ,  アレクサンダー・カバンスキー ,  ウェンビン・ヤン ,  テソン・キム ,  デニス・エム.・ハウスマン ,  トルステン・リル
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-002141
公開番号（公開出願番号）：特開2016-131238
出願日： 2016年01月08日
公開日（公表日）： 2016年07月21日
要約：

【解決手段】 原子層エッチング及び原子層堆積を、これらのプロセスを同じチャンバ内又はリアクタ内で実施することによって統合するための方法が提供される。方法は、エッチング中における特徴の劣化を保護する、選択性を向上させる、及び半導体基板の感受性の層を封入するために、原子層エッチングと原子層堆積とを順次交互に行うことを伴う。【選択図】 図1C

請求項（抜粋）：

基板を処理する方法であって、 チャンバ内で、原子層エッチングによって前記基板をエッチングすることと、 前記チャンバ内で、原子層堆積によって膜を堆積させることと、 を備え、前記エッチング及び前記堆積は、真空を破壊することなく実施される、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/02

FI (5件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/316 X ,  H01L21/302 101C ,  C23C16/455 ,  C23C16/02

Fターム (32件)：

4K030AA03 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA20 ,  4K030LA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB22 ,  5F004BC05 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA13 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB29 ,  5F004DB30 ,  5F058BC02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第6448192号
  
• 特開平3-133128
  
• 超高品質シリコン含有化合物層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-143215   出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド
• 被処理基体をエッチングする方法、及びプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-106586   出願人：東京エレクトロン株式会社