超高品質シリコン含有化合物層の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木澤史彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-143215
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283357
出願日： 2010年06月23日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

【課題】ALDがCVDに比べて優れたコンフォーミティ(coformality)、成膜速度及び均一性を備えた気相堆積方法を提供する。【解決手段】シリコンナイトライド層を含む、超高品質シリコン含有化合物層を形成するため、複数の順次的なステップ140が、反応チャンバー中で実施される。好ましい実施態様において、シリコン前駆物質としてトリシランを用いて、シリコン層が基板上に堆積100される。シリコン前駆物質は、反応チャンバーから除去される110。その後、シリコンナイトライド層が、シリコン層を窒化すること120によって形成される。窒素反応物質は、反応チャンバーから除去される110。これらのステップ100、110、120及び130を繰り返すことによって、所望の厚さのシリコンナイトライド層が形成される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコン含有化合物層を有する集積回路の製造方法であって、該方法が、複数のサイクルを含み、各サイクルが、以下: 物質輸送による制限がなされた400°C以上の成膜条件で基板をトリシランに暴露することによって、基板とトリシランとを接触させて、トリシランを基板で、トリシランをプロセスチャンバー内に導入している間に熱分解させ、プロセスチャンバー内において基板にシリコン層を堆積すること; その後、プロセスチャンバーからトリシランを除去すること; シリコン層を反応種(reactive species)に暴露することによって、5%以下の厚さ不均一性と、80%以上のステップカバレッジと、を有するシリコン含有化合物層を形成すること;及びその後、プロセスチャンバーから反応種を除去することを含む製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/318 , H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , C23C 16/42 , C23C 16/455 , H01L 29/78

FI (8件)：

H01L21/318 B , H01L21/316 X , H01L21/31 C , H01L21/31 B , H01L21/90 K , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L29/78 301G

Fターム (58件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA35 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F033QQ76 , 5F033QQ78 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033SS02 , 5F033SS11 , 5F033XX02 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AA16 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045EE19 , 5F045EH18 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ01 , 5F140AA39 , 5F140BD01 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG49 , 5F140BG52

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭61-095535
特開昭61-093630
高膜品質で水素含有量の低い窒化ケイ素を堆積するプラズマプロセス
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-559586 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"Hydrogen Concentration and Bond Configurations in Silicon Nitride Films Prepared by ECR Plasma CVD

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