ショットキーダイオード及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：名古屋国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-544113
公開番号（公開出願番号）：特表2016-502761
出願日： 2013年11月20日
公開日（公表日）： 2016年01月28日
要約：

本開示は、優れたサージ特性と逆バイアスリーク電流の低減との両方を提供するショットキーコンタクトを有する半導体デバイスに関する。ある好適な実施形態において、半導体デバイスはショットキーダイオードであり、より好適には炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードである。しかし、半導体デバイスは、より一般的には、例えば金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)等の、ショットキーコンタクトを有する任意の種類の半導体デバイスであってもよい。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスであって、第1導電型のドリフト層であって、該ドリフト層にあり該ドリフト層における活性領域内の複数の接合障壁遮蔽要素用凹部と、前記複数の接合障壁遮蔽要素用凹部のうちの対応する1つから該ドリフト層内へと延びる複数の注入領域であって前記第1導電型とは導電型が逆である第2導電型の複数の注入領域と、を有するドリフト層と、前記複数の接合障壁遮蔽要素用凹部に隣接するドリフト層上にあるサージ電流注入エピタキシャル領域であって、前記第2導電型に高濃度にドープされたサージ電流注入エピタキシャル領域と、ショットキー層であって、前記ドリフト層上にあり、当該ショットキー層と前記ドリフト層との間でショットキー接合を形成するショットキー層と、を備え、前記ショットキー層は、前記複数の注入領域が、前記ショットキー接合の下の前記ドリフト層において、接合障壁遮蔽領域からなるアレイを構成するように、前記複数の接合障壁遮蔽要素用凹部の上方に延びている、半導体デバイス。

IPC (6件)：

H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 21/329 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 29/06

FI (10件)：

H01L29/86 301F , H01L29/48 F , H01L29/48 P , H01L29/86 301P , H01L29/91 K , H01L29/86 301D , H01L29/91 F , H01L29/86 301E , H01L29/06 301G , H01L29/06 301V

Fターム (22件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB21 , 4M104DD26 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (6件)

特許第6897133号
ジャンクションバリアショットキーダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-275127 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-249415 出願人：株式会社東芝

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