半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-065037
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204411
出願日： 2011年03月23日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：

【課題】本発明の実施形態は、サージ耐量が高く、順方向の電流密度を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1導電形の半導体層と、前記半導体層の第1の主面に選択的に設けられた第2導電形の第1の領域と、前記第1の領域に接続して前記第1の主面に選択的に設けられた第2導電形の第2の領域と、を備える。そして、前記半導体層と前記第1の領域とに接して設けられた第1の電極と、前記第2の領域に接して設けられた第2の電極と、前記半導体層の前記第1の主面とは反対の第2の主面側に電気的に接続された第3の電極とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電形の半導体層と、前記半導体層の第1の主面に選択的に設けられた第2導電形の第1の領域と、前記第1の領域に接続されて前記第1の主面に選択的に設けられた第2導電形の第2の領域と、前記半導体層と前記第1の領域とに接して設けられた第1の電極と、前記第2の領域に接して設けられた第2の電極と、前記半導体層の前記第1の主面とは反対の第2の主面側に電気的に接続された第3の電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (2件)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D

Fターム (13件)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD78 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (4件)

ショットキーバリアダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-051591 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-125593 出願人：株式会社デンソー
半導体デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-199468 出願人：クリーインコーポレイテッド

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審査官引用 (4件)

ショットキーバリアダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-051591 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-125593 出願人：株式会社デンソー
半導体デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-199468 出願人：クリーインコーポレイテッド

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