特許
J-GLOBAL ID：201003051706352961
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松山 允之
, 池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-249415
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080797
出願日： 2008年09月29日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】p-i-n接合とショットキー接合を備えるダイオードを有する炭化珪素パワー半導体装置において、逆方向漏れ電流を抑制した上で、素子のオン抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】n型炭化珪素半導体基板上に設けられたn型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面の一部領域にp型不純物をイオン注入し、p型不純物領域を形成する工程と、n型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面に、n型エピタキシャル炭化珪素半導体層との間にショットキー障壁を形成する第1の金属層を堆積する工程と、第1の金属層上にアルミニウムを含有する第2の金属層を堆積する工程と、第2の金属層を堆積する工程の後に熱処理する工程とを有し、熱処理により第2の金属層に含有されるアルミニウムを選択的に前記p型不純物領域に拡散させることを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型炭化珪素半導体基板上に設けられたn型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面の一部領域にp型不純物をイオン注入し、p型不純物領域を形成する工程と、
前記n型エピタキシャル炭化珪素半導体層表面に、前記n型エピタキシャル炭化珪素半導体層との間にショットキー障壁を形成する第1の金属層を堆積する工程と、
前記第1の金属層上にアルミニウムを含有する第2の金属層を堆積する工程と、
前記第2の金属層を堆積する工程の後に熱処理する工程とを有し、
前記熱処理により前記第2の金属層に含有されるアルミニウムを選択的に前記p型不純物領域に拡散させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/48 D
, H01L29/48 F
, H01L29/48 M
4M104AA03
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB18
, 4M104BB25
, 4M104DD64
, 4M104DD65
, 4M104DD78
, 4M104DD92
, 4M104FF06
, 4M104FF10
, 4M104FF13
, 4M104FF18
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH15
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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