特許

J-GLOBAL ID：201603015563414853

エピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： 須田 一成
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 張川 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-236959
公開番号（公開出願番号）：特開2016-100483
出願日： 2014年11月21日
公開日（公表日）： 2016年05月30日
要約：

【課題】結晶方位の違いにより生じるエピタキシャル層の成長速度差を低減するとともに、平坦度が良好なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】主表面が(100)又は(110)のシリコンウェーハに原料ガスを導入してシリコン層をエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法である。温度を950〜1150度、原料ガスのガス濃度が1.0×10-4〜1.0×10-2mоl/lの範囲にするとともに、圧力を200tоrr以下に減圧してエピタキシャル成長をする。これにより結晶方位の違いにより生じる成長速度差を低減するとともに、平坦度が良好なエピタキシャルウェーハを製造できる。【選択図】図4A

請求項（抜粋）：

主表面が(100)又は(110)のシリコンウェーハに原料ガスを導入してシリコン層をエピタキシャル成長するエピタキシャルウェーハの製造方法において、 温度を950〜1150度、前記原料ガスのガス濃度を1.0×10-4〜1.0×10-2mоl/lの範囲にするとともに、圧力を200tоrr以下にして前記エピタキシャル成長をすることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/52

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52

Fターム (28件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045DP27 ,  5F045EM10 ,  5F045GB13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-126653   出願人：東芝セラミックス株式会社, 東芝機械株式会社
• サセプタ、半導体製造装置及び半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-120159   出願人：株式会社ニューフレアテクノロジー
• エピタキシャルウェーハの製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-094132   出願人：SUMCOTECHXIV株式会社
• エピタキシャルウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-161675   出願人：株式会社SUMCO