特許
J-GLOBAL ID：201603016003761520

半導体発光装置

発明者：
秋元 陽介

秋元 陽介 について

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杉崎 吉昭

杉崎 吉昭 について

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小島 章弘

小島 章弘 について

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島田 美代子

島田 美代子 について

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富澤 英之

富澤 英之 について

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古山 英人

古山 英人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-146031
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011275
特許番号：特許第5989420号
出願日： 2012年06月28日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の面と、前記第1の面の反対側に設けられ、p側領域と複数のn側領域とを有する第2の面と、を有する第1の半導体層と、 前記p側領域上に設けられた発光層と、 前記発光層上に設けられた第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に設けられ、前記n側領域以外の前記第2の面側全体に一体に広がるp側電極と、 前記複数のn側領域のそれぞれの上に設けられた複数のn側電極と、 前記p側電極上及び前記n側電極上に設けられた第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の絶縁膜を貫通する複数の第1のビアを通じて前記p側電極と接続されたp側配線層と、 前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の絶縁膜を貫通する複数の第2のビアを通じて複数の前記n側電極に対して共通に接続されたn側配線層と、 前記p側配線層上に設けられ、前記p側配線層よりも厚いp側金属ピラーと、 前記n側配線層上に設けられ、前記n側配線層よりも厚いn側金属ピラーと、 を備え、 前記第2の面において、前記複数のn側領域はつながらずに互いに分離され、それぞれの前記n側領域のまわりを前記p側領域が囲み、 前記第2の面側を見た平面視で、前記n側配線層は前記n側電極と前記p側電極との間の隙間のすべてを覆うとともに、前記隙間よりも広い領域を覆い、 前記複数の第1のビアの前記p側配線層と接する総面積は、前記複数の第2のビアの前記n側配線層と接する総面積よりも大きい半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/38 ( 201 0.01)
FI (1件)：
H01L 33/38
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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