特許
J-GLOBAL ID：201603016184472958
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-139187
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003244
特許番号：特許第5972065号
出願日： 2012年06月20日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に接するゲート絶縁膜を形成する工程と、
In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(a≧0,b≧0,c≧0,a+b+c=1,d>0)で表され、b≦a/2-1/10、b≧-3a/2+11/10、b≧1/20、及び、c≧1/20 を満たす第1の領域、並びに、In(e)Ga(f)Zn(g)O(h)(e≧0,f≧0,g≧0,e+f>0,h>0)で表され、f/(e+f)>0.250を満たし、前記ゲート電極に対して前記第1の領域よりも遠くに位置する第2の領域を有し、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層を液相法によって形成する工程と、
互いに離間して配置されており、前記酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を含む薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 27/144 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 618 E
, G02F 1/136
, G09F 9/30 338
, H01L 27/14 C
, H01L 27/14 K
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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