特許

J-GLOBAL ID：201003089058154862

薄膜電界効果型トランジスタ

発明者： 今井 真二
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-242628
公開番号（公開出願番号）：特開2010-074061
出願日： 2008年09月22日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【課題】本発明の目的は、活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたTFTであって、駆動耐久性及び駆動安定性に優れたTFTを提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有するTFTであって、1)前記活性層がアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のIn原子比率が70%以上であり、Ga原子比率が25%以下、Al原子比率が25%以下であり、2)前記ゲート絶縁膜と前記活性層との間に第1界面層を有し、該第1界面層はアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のGa原子比率が5%以上、又はAl原子比率が5%以上であり、3)前記第1界面層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率が前記活性層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率より高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、 1)前記活性層がアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のIn原子比率が70%以上であり、Ga原子比率が25%以下、Al原子比率が25%以下であり、 2)前記ゲート絶縁膜と前記活性層との間に第1界面層を有し、該第1界面層はアモルファス酸化物半導体層であり、該アモルファス酸化物半導体の金属成分中のGa原子比率が5%以上、又はAl原子比率が5%以上であり、 3)前記第1界面層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率が前記活性層のアモルファス酸化物半導体のGa及びAl原子比率より高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B

Fターム (52件)：

5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40

引用特許：

出願人引用 (3件)

• アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258270   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-217272   出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
• 薄膜トランジスタとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-316405   出願人：凸版印刷株式会社