特許
J-GLOBAL ID：201603016832801504

トレンチ・ショットキー・バリア・ショットキーダイオードを備える半導体装置

発明者：
ニン クゥ

ニン クゥ について

, 
アルフレート ゲアラッハ

アルフレート ゲアラッハ について


出願人/特許権者：
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング

ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング について


代理人 (4件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  前川 純一 ,  二宮 浩康 ,  上島 類
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-045747
公開番号（公開出願番号）：特開2016-167597
出願日： 2016年03月09日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：
【課題】約100Vを上回る逆方向電圧に対して適しているショットキーダイオードを備えている半導体装置を提供する。【解決手段】金属膜によって被覆されている第1の面と、該第1の面に延在し且つ少なくとも部分的に金属で充填されている少なくとも1つのトレンチとを有する第1の導電型の半導体ブロックを含む半導体装置において、トレンチの少なくとも1つの壁部、及び/又は、金属膜によって被覆されている第1の面の、トレンチに隣接する少なくとも1つの領域が、金属膜と半導体ブロックとの間に位置する、第2の導電型の第1の半導体材料から成る半導体層を備えている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
トレンチ・ショットキー・バリア・ショットキーダイオードを備えている半導体装置(10)であって、 前記半導体装置(10)は、第1の導電型の半導体ブロック(12)を含み、該半導体ブロック(12)は、金属膜(14)によって被覆されている第1の面(16)と、該第1の面(16)に延在し、且つ、少なくとも部分的に金属で充填されている、少なくとも1つのトレンチ(18)と、を有している、半導体装置(10)において、 前記トレンチ(18)の少なくとも1つの壁部(56)、及び/又は、前記金属膜(14)によって被覆されている前記第1の面(16)の、前記トレンチ(18)に隣接する少なくとも1つの領域(24)は、前記金属膜(14)と前記半導体ブロック(12)との間に位置する、第2の導電型の第1の半導体材料から成る層(26)を備えていることを特徴とする、半導体装置(10)。
IPC (4件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868
FI (7件)：
H01L29/86 301F ,  H01L29/48 F ,  H01L29/48 D ,  H01L29/91 D ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 F
Fターム (10件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF02 ,  4M104FF27 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件)
  • The relationship between resistivity and dopant density for phosphorus-and boron-doped silicon
審査官引用 (1件)
  • The relationship between resistivity and dopant density for phosphorus-and boron-doped silicon

前のページに戻る

TOP

BOTTOM