特許
J-GLOBAL ID：201403055226636115

改良されたショットキー整流器

発明者：
チ-ウェイ・ス

チ-ウェイ・ス について

, 
フローリン・ウドリー

フローリン・ウドリー について

, 
イ-イン・リン

イ-イン・リン について


出願人/特許権者：
ヴィシェイ ジェネラル セミコンダクター,エルエルシー

ヴィシェイ ジェネラル セミコンダクター,エルエルシー について


代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-535073
公開番号（公開出願番号）：特表2013-545295
出願日： 2011年10月20日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：
半導体整流器は、第一の導電型を有する半導体基板を含む。基板の上に形成される第一の層は、第一の導電型を有して、基板よりも低濃度ドープされている。第二の導電型を有する第二の層は、基板の上に形成されて、金属層が、第二の層の上に配置される。金属層と第二の層との間にショットキーコンタクトが形成されるように、第二の層は低濃度ドープされる。第一の電極が金属層の上に形成されて、第二の電極が基板の裏面に形成される。
請求項（抜粋）：
第一の導電型を有する半導体の基板と、 前記基板の上に形成され、前記第一の導電型を有し、前記基板よりも低濃度ドープされた第一の層と、 前記基板の上に形成され、第二の導電型を有する第二の層と、 前記第二の層の上に形成された金属層と、 前記金属層の上に形成された第一の電極及び前記基板の裏面に形成された第二の電極とを備え、 前記金属層と前記第二の層との間にショットキーコンタクトが形成されるように前記第二の層が低濃度ドープされている、半導体整流器。
IPC (5件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861
FI (5件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 L ,  H01L29/91 K
Fターム (5件)：
4M104BB21 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 整流用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295148   出願人：新電元工業株式会社
  • P型領域上の接触
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-162806   出願人：エスジェエス-トムソンミクロエレクトロニクスソシエテアノニム
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-087071   出願人：日本碍子株式会社, 国立大学法人静岡大学
全件表示
審査官引用 (5件)
  • 整流用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295148   出願人：新電元工業株式会社
  • P型領域上の接触
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-162806   出願人：エスジェエス-トムソンミクロエレクトロニクスソシエテアノニム
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-087071   出願人：日本碍子株式会社, 国立大学法人静岡大学
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM