半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-013141
公開番号（公開出願番号）：特開2014-146645
特許番号：特許第6008750号
出願日： 2013年01月28日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面および裏面に導電パターンを有し、はんだ層を介してヒートスプレッダに接合された絶縁基板と、前記絶縁基板の表面側の前記導電パターン上に接合された電力半導体素子と、前記絶縁基板の裏面側の前記導電パターンと前記ヒートスプレッダとの間に配置されたはんだフィレットを有する前記はんだ層とを備え、前記ヒートスプレッダは、前記はんだ層に面し、前記絶縁基板の周縁部に沿って配置された複数の第1のディンプルを有し、前記各第1のディンプルは、前記絶縁基板の裏面に対向し、前記はんだ層のはんだフィレットの下方には配置されないように構成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：