特許
J-GLOBAL ID:201103096232532387

半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  鈴木 光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-201884
公開番号(公開出願番号):特開2011-054732
出願日: 2009年09月01日
公開日(公表日): 2011年03月17日
要約:
【課題】はんだクラックの発生を抑制しながら、放熱効率を向上することができる半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体モジュール1は、半導体素子3と、半導体素子3の熱を放熱するヒートシンク5と、半導体素子3とヒートシンク5との間に位置し配線層13,15を両面に有する絶縁基板10と、を備えた半導体モジュールであって、絶縁基板10の一方の配線層13には、はんだを介して半導体素子3が接合されており、絶縁基板10の他方の配線層15には、はんだを介してヒートシンク5が接合されており、一方の配線層13と、他方の配線層15と、が、絶縁基板10の中央部に対応する部分において周囲よりも厚く形成された厚板部13a,15aを有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体素子と、前記半導体素子の熱を放熱する放熱体と、前記半導体素子と前記放熱体との間に位置し配線層を両面に有する絶縁基板と、を備えた半導体モジュールであって、 前記絶縁基板の一方の前記配線層には、はんだを介して前記半導体素子が接合されており、 前記絶縁基板の他方の前記配線層には、はんだを介して前記放熱体が接合されており、 前記一方の前記配線層と、前記他方の前記配線層と、が、 前記絶縁基板の中央部に対応する部分において周囲よりも厚く形成された厚板部を有することを特徴とする半導体モジュール。
IPC (1件):
H01L 23/36
FI (2件):
H01L23/36 C ,  H01L23/36 Z
Fターム (5件):
5F136BA30 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA82
引用特許:
審査官引用 (12件)
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