特許
J-GLOBAL ID：201603017196977040
積層型半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-058303
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183278
特許番号：特許第5847749号
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 樹脂基板を用いた第1の基板上に、1段目の半導体チップを同一平面上に複数配列して接着する工程と、
前記半導体チップ表面または裏面に所望のパターンにパターニングされた感光性接着フィルムを介してそれぞれ少なくとも1段以上の半導体チップの位置合わせを行い、加熱することで、液状樹脂の浸透パスを形成しつつ、部分的に接着し、前記半導体チップ上にそれぞれ少なくとも1段以上の半導体チップを積層する工程と、
前記第1の基板を切断して各積層体に分離する工程と、
前記積層体の表面に形成された電極パッド部が、第2の基板の電極パッド部と符合するように、位置を合わせて、対向させて仮接続する工程と、
前記第2の基板及び積層体全体を、リフローして、電極パッド部間を電気的に接続する工程と、
前記積層体の前記第1の基板側から前記積層体に沿って液状樹脂を供給して、各半導体チップ間及び前記積層体と前記第2の基板間を樹脂封止する工程と、
前記積層体をダイシングブレードで切断して個片化する工程と、
を備えたことを特徴とする、積層型半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 25/065 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
