特許
J-GLOBAL ID：201603017466681149
フォトマスクブランクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-164976
公開番号（公開出願番号）：特開2016-035547
出願日： 2014年08月13日
公開日（公表日）： 2016年03月17日
要約：
【課題】珪素を含有する無機膜にシリル化処理を施してからレジスト膜を形成するフォトマスクブランクに関し、現像後、レジスト残渣などによる欠陥の発生を抑制することができるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。【解決手段】透明基板2上に、少なくとも、珪素を含有する無機膜5を有し、該無機膜5上にレジスト膜6を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記無機膜5を形成した後、200°Cより高い温度で酸素を含む雰囲気中で熱処理してからシリル化処理を行い、その後、塗布により前記レジスト膜を形成することで、レジスト残渣などによる欠陥の発生が抑制できる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
透明基板上に、少なくとも、珪素を含有する無機膜を有し、該無機膜上にレジスト膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記無機膜を形成した後、200°Cより高い温度で酸素を含む雰囲気中で熱処理してからシリル化処理を行い、その後、塗布により前記レジスト膜を形成することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/38
, G03F 1/30
, H01L 21/027
G03F1/38
, G03F1/30
, H01L21/30 502P
2H095BB25
, 2H095BB30
, 2H095BB38
, 2H095BC24
, 2H195BB25
, 2H195BB30
, 2H195BB38
, 2H195BC24
