特許
J-GLOBAL ID：201203098234923979
フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-202742
公開番号（公開出願番号）：特開2012-003283
出願日： 2011年09月16日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長200nm以下の露光光に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。【解決手段】波長200nm以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、 透光性基板1上に薄膜2を備え、 前記薄膜2は、遷移金属、ケイ素及び炭素を含み、ケイ素炭化物及び/又は遷移金属炭化物を有する材料からなることを特徴とするフォトマスクブランク。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
波長200nm以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
透光性基板上に薄膜を備え、
前記薄膜は、遷移金属、ケイ素及び炭素を含み、ケイ素炭化物及び/又は遷移金属炭化物を有する材料からなることを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F1/08 G
, C23C14/06 E
, C23C14/06 L
2H095BA07
, 2H095BB14
, 2H095BC05
, 2H095BC08
, 2H095BC24
, 4K029AA08
, 4K029AA24
, 4K029BA41
, 4K029BA52
, 4K029BA55
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029DC04
, 4K029DC05
, 4K029DC34
, 4K029DC39
