特許

J-GLOBAL ID：201603017585063305

半導体装置

発明者： 野田 耕生 ,  遠藤 佑太
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092886
公開番号（公開出願番号）：特開2016-157978
出願日： 2016年05月05日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上の一対の電極と、 前記一対の電極と接する酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、 を有し、 前記酸化物半導体膜は、高抵抗領域と、一対の低抵抗領域と、を有し、 前記高抵抗領域は、前記ゲート電極と重なる領域を有し、 前記一対の低抵抗領域は、前記ゲート電極と重ならない領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (6件)：

H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 601 ,  H01L27/10 671Z

Fターム (88件)：

5F083AD02 ,  5F083AD69 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25 ,  5F083PR29 ,  5F083ZA12 ,  5F110AA03 ,  5F110AA07 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC03 ,  5F110CC06 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ18 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HM14 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-028340   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体機器及びその製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-540385   出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
• 半導体装置および半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-049791   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置及び当該半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-251964   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所