特許
J-GLOBAL ID：201603017957815589
振動式トランスデューサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 鈴木 三義
, 村山 靖彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-153874
公開番号（公開出願番号）：特開2015-025684
特許番号：特許第5835285号
出願日： 2013年07月24日
公開日（公表日）： 2015年02月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】SOI基板に設けられた振動子、該振動子の周辺に隙間が維持されるように前記振動子を囲み、前記基板と共に真空室を区画するシェル、前記振動子を励振させる励振手段、および前記振動子の振動を検出する振動検出手段、を含む振動式トランスデューサであって、
前記シェルは、前記真空室の側から順に、貫通孔を有する第一層、該第一層に重ねて配され、前記貫通孔の近傍かつその周囲を覆う第二層、及び、前記第一層と前記第二層とを覆う第三層、から構成され、
前記第二層は、前記貫通孔の内部に入り込む突出部を備え、
前記シェルは、前記第一層と前記第二層との対向領域において、前記第二層が前記振動子に対向する部位と、前記第二層が前記第三層に接する部位とを連通させる空隙部を有することを特徴とする振動式トランスデューサ。
IPC (2件)：
G01L 1/10 ( 200 6.01)
, H01L 29/84 ( 200 6.01)
G01L 1/10 Z
, H01L 29/84 Z
