犠牲層のエッチング方法、MEMSデバイスの製造方法およびMEMSデバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲岡耕作 , 川崎実夫 , 皆川祐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-239552
公開番号（公開出願番号）：特開2010-074523
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

【課題】被覆膜で被覆された犠牲層をエッチングするときに、エッチングによる被覆膜の損傷の発生を抑制できる犠牲層のエッチング方法、該エッチング方法を用いたMEMSデバイスの製造方法および該製造方法により製造されるMEMSデバイスを提供すること。【解決手段】シリコン基板2上に犠牲酸化膜29を形成し、犠牲酸化膜29を、シリコン基板2の一方面に対向する対向部17と、シリコン基板2の一方面に形成された段差部19と、対向部17と段差部19とを連設する側部18とを有する表面膜11で被覆する。次いで、側部18に、犠牲酸化膜29とのエッチング選択比が、表面膜11の犠牲酸化膜29とのエッチング選択比よりも大きい材料からなる保護膜16を形成する。そして、犠牲酸化膜29をエッチングして、表面膜11をシリコン基板2との間に中空部分を有する状態で支持される中空支持膜とすることにより、シリコンマイク1を得る。【選択図】図2I

請求項（抜粋）：

基層上に突出した形状の犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層を被覆する被覆膜を形成する工程と、前記被腹膜における前記犠牲層の側面に対向する部分上に、前記犠牲層とのエッチング選択比が、前記被腹膜の前記犠牲層とのエッチング選択比よりも大きい材料からなる保護膜を形成する工程と、前記保護膜の形成後、前記犠牲層をエッチングする工程とを含む、犠牲層のエッチング方法。

IPC (3件)：

H04R 31/00 , H01L 29/84 , H04R 19/04

FI (3件)：

H04R31/00 C , H01L29/84 Z , H04R19/04

Fターム (19件)：

4M112AA06 , 4M112BA07 , 4M112CA01 , 4M112CA03 , 4M112CA11 , 4M112CA13 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA06 , 4M112DA09 , 4M112DA11 , 4M112EA03 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112EA18 , 4M112FA20 , 5D021CC20

引用特許：

出願人引用 (1件)

回転角度検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-125434 出願人：株式会社東海理化電機製作所

審査官引用 (4件)

マイクロメカニズムデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-325049 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
音響センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-376057 出願人：三洋電機株式会社
外部の影響から保護されたマイクロマシニング技術による構成素子
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-567924 出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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