特許
J-GLOBAL ID：201103051420966447

半導体圧力センサ及びその製造方法

発明者：
佐藤 公敏

佐藤 公敏 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-282468
公開番号（公開出願番号）：特開2011-122997
出願日： 2009年12月14日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
【課題】製造ばらつきの少ない半導体圧力センサを得る。【解決手段】シリコン基板10は貫通孔12を有する。シリコン基板10上にポリシリコン膜20が形成されている。ポリシリコン膜20は、貫通孔12の上方にダイヤフラム24を有する。ポリシリコン膜20上に絶縁膜22が形成されている。ピエゾ抵抗効果を有するポリシリコンゲージ抵抗R1,R2,R3,R4が絶縁膜22上に形成されている。ポリシリコン配線W1,W2,W3,W4は、ポリシリコンゲージ抵抗R1,R2,R3,R4をブリッジ状に接続する。ポリシリコンゲージ抵抗R1,R2は、ダイヤフラム24の中央部に配置され、それぞれ並列接続された複数の抵抗を有し、構造及び向きが同じである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
貫通孔を有する基板と、 前記基板上に形成され、前記貫通孔の上方にダイヤフラムを有するポリシリコン膜と、 前記ポリシリコン膜上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成され、ピエゾ抵抗効果を有する第1、第2、第3及び第4のポリシリコンゲージ抵抗と、 前記第1、第2、第3及び第4のポリシリコンゲージ抵抗をブリッジ状に接続するポリシリコン配線とを備え、 前記第1及び第2のポリシリコンゲージ抵抗は、前記ダイヤフラムの中央部に配置され、それぞれ並列接続された複数の抵抗を有し、構造及び向きが同じであることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/00 ,  H01L 29/84
FI (2件)：
G01L9/00 303E ,  H01L29/84 B
Fターム (23件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA07 ,  4M112CA13 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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