特許
J-GLOBAL ID：201603018059358321
薄膜トランジスタ構造、ならびにその構造を備えた薄膜トランジスタおよび表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
植木 久一
, 植木 久彦
, 菅河 忠志
, 伊藤 浩彰
, 竹岡 明美
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-094747
公開番号（公開出願番号）：特開2012-235105
特許番号：特許第5977569号
出願日： 2012年04月18日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、
前記酸化物半導体層は、第1酸化物半導体層と第2酸化物半導体層との積層体であり、
前記第1酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるZnの含有量が50原子%以上であって、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成され
(但し、SiO2を2重量%含むZn-O系非単結晶膜を除く。)、
前記第2酸化物半導体層は、金属元素がIn、Ga、およびZnからなり、基板側に形成され、かつ、
前記第1酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, C23C 14/08 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 619 A
, G02F 1/136
, C23C 14/08 K
, C23C 14/08 N
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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