半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-334502
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142196
出願日： 2005年11月18日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】比較的低温で作製でき、屈曲性のある樹脂基板上にも形成可能な半導体薄膜であって、キャリア濃度が低いとともに、ホール移動度が高く、また、エネルギーバンドギャップが大きい半導体薄膜、及びそのような半導体薄膜の製造方法、並びにそのような半導体薄膜を用いた、電界効果移動度とon-off比が高いとともに、漏れ電流の発生などの照射光による影響を小さくして、素子特性を向上させた薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】キャリア密度が10+17cm-3以下、ホール移動度が2cm2/V・sec以上、エネルギーバンドギャップが2.4eV以上となるように、酸化亜鉛と酸化錫を含有する非晶質膜を成膜した後に、酸化処理して透明半導体薄膜40を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛と酸化錫を含有する非晶質膜からなる半導体薄膜であって、比抵抗が10〜107Ωcmであることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (1件)：

H01L29/78 618B

Fターム (30件)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21

引用特許：

出願人引用 (2件)

薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274333 出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-059905 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

審査官引用 (2件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081483 出願人：富士ゼロックス株式会社
表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-401026 出願人：三洋電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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