特許

J-GLOBAL ID：201003039754758589

トランジスタ

発明者： 金 善 日 ,  宋 利 憲 ,  金 昌 ジョン ,  朴 宰 徹 ,  金 尚 ウク
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-165841
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021555
出願日： 2009年07月14日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：

【課題】移動度及びしきい値電圧が調節された酸化物をチャンネル層に有するトランジスタを提供する。【解決手段】トランジスタであって、相異なる移動度を有し、相異なる酸化物で形成される下部層及び上部層を備えるチャンネル層と、前記チャンネル層の対向する両端部にそれぞれ接触するソース及びドレインと、前記チャンネル層に電界を印加するためのゲートとを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

トランジスタであって、 相異なる移動度を有し、相異なる酸化物で形成される下部層及び上部層を備えるチャンネル層と、 前記チャンネル層の対向する両端部にそれぞれ接触するソース及びドレインと、 前記チャンネル層に電界を印加するためのゲートとを有することを特徴とするトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z

Fターム (24件)：

5F110AA01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-096983   出願人：シャープ株式会社
• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-224309   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-050004   出願人：キヤノン株式会社