特許
J-GLOBAL ID：201603018155301616
酸化亜鉛系半導体トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
土井 健二
, 林 恒徳
, 眞鍋 潔
, 柏谷 昭司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-224927
公開番号（公開出願番号）：特開2014-078586
特許番号：特許第5974800号
出願日： 2012年10月10日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面が平坦な基板と、
前記基板上に形成された絶縁膜と
前記絶縁膜上に形成された酸化亜鉛系半導体からなる島状のチャネル形成層と、
前記チャネル形成層上に形成されたソース電極とドレイン電極と
を有し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の真性チャネル領域の残留応力が、前記真性チャネル領域より外側の周辺部の残留応力よりも大きいこと
を特徴とする酸化亜鉛系半導体トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 617 T
