ウェーハの加工方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：松本昂 , 大上寛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-083781
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214601
特許番号：特許第6008541号
出願日： 2012年04月02日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】交差する複数の分割予定ラインが設定されたウェーハを薄化するとともに該分割予定ラインに沿って分割して所定の仕上げ厚みのチップを複数形成するウェーハの加工方法であって、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハ内部の表面側であってチップの仕上げ厚みに至らない領域に位置付けた状態で、該ウェーハの裏面側から該レーザービームを分割予定ラインに沿って照射して、該ウェーハ内部の表面側に該分割予定ラインに沿った分割起点改質層を形成する分割起点改質層形成ステップと、該分割起点改質層形成ステップを実施した後に、該レーザービームの該集光点を該ウェーハ内部の裏面側に位置付けた状態で、該ウェーハの裏面側から該レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射して、該分割起点改質層の形成によって該ウェーハに生じる反りを低減させる反り低減改質層を該ウェーハ内部の裏面側に該分割予定ラインに沿って形成する反り低減改質層形成ステップと、該分割起点改質層と該反り低減改質層が形成された該ウェーハの裏面を研削して少なくとも該分割起点改質層を起点に該ウェーハを分割しつつ該仕上げ厚みへと薄化し該分割起点改質層と該反り低減改質層とを除去して該仕上げ厚みのチップを複数形成する研削ステップと、少なくとも該研削ステップを実施する前に該ウェーハの表面に保護テープを配設する保護テープ配設ステップと、を備え、該反り低減改質層形成ステップで照射する該レーザービームの出力は、該反り低減改質層によりクラックが形成されることを抑制できる程度で、且つ、該分割起点改質層形成ステップで照射する該レーザービームの出力よりも低い値に設定されることを特徴とするウェーハの加工方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ( 200 6.01) , B23K 26/53 ( 201 4.01)

FI (3件)：

H01L 21/78 B , H01L 21/78 Q , B23K 26/53

引用特許：

出願人引用 (6件)

レーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-101924 出願人：浜松ホトニクス株式会社
窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-196423 出願人：ローム株式会社
半導体基板の切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-318883 出願人：浜松ホトニクス株式会社

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審査官引用 (6件)

レーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-101924 出願人：浜松ホトニクス株式会社
窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-196423 出願人：ローム株式会社
半導体基板の切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-318883 出願人：浜松ホトニクス株式会社

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