半導体基板の切断方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-318883
公開番号（公開出願番号）：特開2005-086111
出願日： 2003年09月10日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】チッピング等の発生を防止して半導体基板を薄型化し且つ切断し得る半導体基板の切断方法を提供する。【解決手段】表面3に機能素子15が形成された厚さ350μmのウェハ11の裏面17を研磨してウェハ11を厚さ150μmにする。その後、裏面17をレーザ光入射面として、ウェハ11の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することで、切断予定ライン5に沿ってウェハ11の内部に溶融処理領域13による切断起点領域8を形成する。これにより比較的小さな力で切断起点領域8を起点として割れを発生させ得る。従って、切断起点領域8形成後にウェハ11の裏面17を研磨してウェハ11を厚さ100μmにする際に、切断起点領域8から発生した割れ21に研磨面が達しても、ウェハ11の切断面は互いに密着しているため、研磨によってウェハ11にチッピング等が発生するのを防止し得る。【選択図】図15

請求項（抜粋）：

表面に機能素子が形成された半導体基板を切断予定ラインに沿って切断する半導体基板の切断方法であって、前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板を第1の厚さにする工程と、前記半導体基板を第1の厚さにした後に、前記半導体基板の裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで改質領域を形成し、その改質領域によって、前記切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、前記切断起点領域を形成した後に、前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板を第2の厚さにする工程とを備えることを特徴とする半導体基板の切断方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (2件)：

H01L21/78 Q , H01L21/78 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭64-38209号公報
特開昭62-4341号公報

審査官引用 (9件)

非金属基板の分割方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-147733 出願人：株式会社ディスコ
レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-277163 出願人：浜松ホトニクス株式会社
特許第3762409号

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