特許
J-GLOBAL ID：201603018389157063

半導体装置の製造方法と半導体装置

発明者：
西口 浩平

西口 浩平 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-116234
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243276
特許番号：特許第5983024号
出願日： 2012年05月22日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1開口と前記第1開口よりも幅の狭い第2開口を有するレジストを基板上に形成する工程と、 窒素を含むガス雰囲気中で、Ta、Cr、TaSi、又はWSiのいずれか1つをスパッタリングターゲットとした反応性スパッタ成膜により、前記基板の前記第1開口によって露出した部分と前記第2開口によって露出した部分に、それぞれ第1抵抗素子と第2抵抗素子を同時に形成する反応性スパッタ成膜工程と、 前記反応性スパッタ成膜工程の後に前記レジストを除去する工程と、を備え、 前記第2抵抗素子は前記第1抵抗素子よりも窒化率が高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/532 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 27/04 P ,  H01L 21/88 G ,  H01L 21/88 M
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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