特許
J-GLOBAL ID：201603018586794679

導波路材料膜の形成方法

発明者：
岡崎 功太

岡崎 功太 について

, 
西 英隆

西 英隆 について

, 
土澤 泰

土澤 泰 について

, 
山田 浩治

山田 浩治 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-175505
公開番号（公開出願番号）：特開2016-051015
出願日： 2014年08月29日
公開日（公表日）： 2016年04月11日
要約：
【課題】光吸収が生じる結合基や、雰囲気の酸素と結合して屈折率の低下を招く結合基などの生成を抑制してSiN膜またはSiON膜が形成できるようにする。【解決手段】まず、ステップS101で、対象とする基板を所定の温度に加熱する。ステップS102で、基板の上にハロゲン系シリコン化合物からなる原料ガスを供給し、プラズマCVD法によりSiNまたはSiONからなる導波路材料膜を形成する。ステップS103で、水素または重水素を含む水素供給ガスより水素イオンまたは重水素イオンを生成し、生成した水素イオンまたは重水素イオンを基板の上に供給する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法により、基板の上にハロゲン系シリコン化合物からなる原料ガスを供給して前記基板の上にSiNまたはSiONからなる導波路材料膜を形成する工程を備え、 前記原料ガスとは別の、水素または重水素を含む水素供給ガスより水素イオンまたは重水素イオンを生成し、生成した水素イオンまたは重水素イオンを前記基板の上に供給して前記導波路材料膜を形成する ことを特徴とする導波路材料膜の形成方法。
IPC (5件)：
G02B 6/132 ,  H01L 21/318 ,  G02B 6/12 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/511
FI (6件)：
G02B6/132 ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  G02B6/12 371 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511
Fターム (26件)：
2H147EA02A ,  2H147EA02B ,  2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  2H147EA33A ,  2H147EA33B ,  2H147FA05 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ04
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM