特許
J-GLOBAL ID：200903098084677197

光素子及びその製造方法

発明者：
土澤 泰

土澤 泰 について

, 
高橋 光俊

高橋 光俊 について

, 
板橋 聖一

板橋 聖一 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-225319
公開番号（公開出願番号）：特開2006-047462
出願日： 2004年08月02日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】3%を越える高い比屈折率差Δにおいても吸収損失の小さくかつ屈折率制御性が高く緻密な高品質のSiON膜をコアとする、光導波路型の光素子が提供できるようにする。【解決手段】基板101の表面を熱酸化することで膜厚10μm程度の酸化シリコン膜を形成することで、基板101の上に下部クラッド層102が形成された状態とする。次に、下部クラッド層102の上にECRプラズマCVD法により膜厚3μmのSiON膜を堆積する。ついで、堆積形成したSiON膜を公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより微細加工することで、下部クラッド層102の上にコア103が形成された状態とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の上に形成された酸化シリコンからなる下部クラッド層と、 この下部クラッド層の上に形成されたSiONからなるコアと、 このコアを覆うように形成された酸化シリコンからなる上部クラッド層と から構成された光導波路を備え、 前記コアは、ECRプラズマCVD法により形成されたSiONより構成されている ことを特徴とする光素子。
IPC (3件)：
G02B 6/13 ,  C23C 16/42 ,  G02B 6/12
FI (3件)：
G02B6/12 M ,  C23C16/42 ,  G02B6/12 N
Fターム (21件)：
2H047KA02 ,  2H047KA04 ,  2H047KA12 ,  2H047KA13 ,  2H047LA18 ,  2H047PA02 ,  2H047PA05 ,  2H047PA22 ,  2H047PA24 ,  2H047PA28 ,  2H047QA01 ,  2H047QA04 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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