特許
J-GLOBAL ID：201603018970956503

SiOx/Si/C複合材料及びその製造方法及び該複合材料を含むリチウムイオン電池用負極

発明者：
ジュン ヤン

ジュン ヤン について

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シュエジアオ フェン

シュエジアオ フェン について

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ジンジュン ジャン

ジンジュン ジャン について

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ロンジエ ジョウ

ロンジエ ジョウ について

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ユチアン ドウ

ユチアン ドウ について


出願人/特許権者：
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング

ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング について


代理人 (2件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-509250
公開番号（公開出願番号）：特表2016-522139
出願日： 2013年04月27日
公開日（公表日）： 2016年07月28日
要約：
本発明は、SiOx/Si複合粒子と前記SiOx/Si複合粒子上に被覆された炭素被覆層とを含むSiOx/Si/C複合材料であって、前記SiOx/Si複合粒子は、SiOx(0<x≦2)非晶質マトリックス相中に埋められたナノシリコン微結晶を含み、前記SiOx/Si複合粒子は5:1〜1.1:1、好ましくは2:1〜1.2:1のSi:Oモル比を有する、SiOx/Si/C複合材料を提供する。本発明は、SiOx/Si/C(式中、0<x≦2である)複合材料の製造方法であって、a)SiO粉末を金属還元剤と共に1.25:1〜10:1、好ましくは2:1〜5:1のモル比で粉砕するステップ、b)前記金属還元剤の酸化生成物を完全に除去してSiOx/Si複合粒子を得るステップ、c)前記SiOx/Si複合粒子を炭素で被覆して前記SiOx/Si/C複合材料を得るステップを有する、SiOx/Si/C複合材料の製造方法も提供する。
請求項（抜粋）：
SiOx/Si複合粒子と、前記SiOx/Si複合粒子上に被覆された炭素被覆層とを有するSiOx/Si/C複合材料であって、 0<x≦2であり、及び 前記SiOx/Si複合粒子は、5:1〜1.1:1、好ましくは2:1〜1.2:1のSi:Oモル比を有する、前記SiOx/Si/C複合材料。
IPC (4件)：
C01B 33/113 ,  H01M 4/36 ,  H01M 4/48 ,  H01M 4/38
FI (5件)：
C01B33/113 A ,  H01M4/36 C ,  H01M4/36 A ,  H01M4/48 ,  H01M4/38 Z
Fターム (42件)：
4G072AA01 ,  4G072AA24 ,  4G072BB05 ,  4G072BB13 ,  4G072GG02 ,  4G072HH13 ,  4G072JJ09 ,  4G072JJ47 ,  4G072MM01 ,  4G072MM24 ,  4G072QQ09 ,  4G072RR01 ,  4G072RR04 ,  4G072RR15 ,  4G072TT01 ,  4G072UU30 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA17 ,  5H050CB02 ,  5H050CB11 ,  5H050CB29 ,  5H050DA10 ,  5H050EA08 ,  5H050EA10 ,  5H050EA27 ,  5H050EA28 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050FA19 ,  5H050FA20 ,  5H050GA02 ,  5H050GA05 ,  5H050GA12 ,  5H050GA15 ,  5H050GA22 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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