【請求項1】 式:[〔M(X)2〕3(L)2]n〔式中、Mは金属イオンを表し、Xは一価の陰イオンを表し、Lは、下記式(1)
(式中、Arは、置換基を有していてもよい3価の芳香族基を表す。X1〜X3は、それぞれ独立に、2価の有機基、またはArとY1〜Y3とを直接結ぶ単結合を表す。Y1〜Y3は、それぞれ独立に、配位性部位を有する1価の有機基を表す。)で示される三座配位子を表し、nは任意の自然数を表す。〕で示される高分子金属錯体であって、
前記配位子が前記金属イオンに配位して形成された三次元ネットワーク構造を有し、かつ、該三次元ネットワーク構造内に三次元的に規則正しく整列した細孔及び中空を有する高分子金属錯体の、前記細孔及び中空内に、脂肪族炭化水素;脂環式炭化水素;エーテル類;エステル類;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、アントラセン及びフェナントレンからなる群から選ばれる芳香族炭化水素;ハロゲン化炭化水素、並びにニトリル類からなる群から選ばれる少なくとも一種がゲスト化合物(A)として内包されてなり、
前記細孔及び中空内における、前記ゲスト化合物(A)の存在量が、前記細孔及び中空内に内包されているすべてのゲスト化合物に対して60モル%以上であることを特徴とするゲスト化合物内包高分子金属錯体結晶。
C30B 29/54 ( 200 6.01)
, C30B 7/06 ( 200 6.01)
, C07D 307/92 ( 200 6.01)
, C07D 311/30 ( 200 6.01)
, C07D 401/14 ( 200 6.01)
, C07D 333/18 ( 200 6.01)
, C07C 13/18 ( 200 6.01)
, C07C 69/14 ( 200 6.01)
, C07C 9/15 ( 200 6.01)
, C07C 15/06 ( 200 6.01)
, C07C 43/04 ( 200 6.01)
, C07C 255/03 ( 200 6.01)
, C07C 19/041 ( 200 6.01)
, C07C 25/08 ( 200 6.01)
, C07C 255/50 ( 200 6.01)
, C07C 49/403 ( 200 6.01)
, C07C 13/47 ( 200 6.01)
, C07C 50/10 ( 200 6.01)
, C07C 7/152 ( 200 6.01)
, C07C 7/14 ( 200 6.01)
, C07C 17/392 ( 200 6.01)
, C07C 41/40 ( 200 6.01)
, C07C 46/10 ( 200 6.01)
, C07C 67/52 ( 200 6.01)
, C07C 253/32 ( 200 6.01)