特許
J-GLOBAL ID：201603019214516032

半導体装置

発明者：
西島 辰司

西島 辰司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-107703
公開番号（公開出願番号）：特開2013-009312
特許番号：特許第5947099号
出願日： 2012年05月09日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 トランジスタとインバータを有し、 前記インバータの出力は前記トランジスタのゲートに入力され、 前記トランジスタのチャネル領域はIn、Zn若しくはSnを含む酸化物半導体膜を有し、 前記インバータはP型トランジスタ及びN型トランジスタを有し、 前記インバータを構成する前記P型トランジスタ及び前記N型トランジスタのチャネル領域はシリコンを有し、 前記インバータにハイ電圧を入力すると、前記インバータからロー電圧が出力されるとともに前記トランジスタの前記ゲートにロー電圧が入力されて前記トランジスタはオフし、 前記インバータにロー電圧を入力すると、前記インバータからハイ電圧が出力されるとともに前記トランジスタの前記ゲートにハイ電圧が入力されて前記トランジスタはオンすることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H03K 19/0944 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H03K 17/687 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H03K 19/094 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 27/08 102 E ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/04 F ,  H03K 17/687 F
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (1件)

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