特許
J-GLOBAL ID：201603019330371955

エレクトロルミネッセンスナノワイヤを製造する最適化された方法

発明者：
カッリ,カルロ

カッリ,カルロ について


出願人/特許権者：
アレディア

アレディア について


代理人 (1件)： 特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-548296
公開番号（公開出願番号）：特表2016-504768
出願日： 2013年10月10日
公開日（公表日）： 2016年02月12日
要約：
本発明は、基板の表面上にナノワイヤ(NTn)の配列を作製するプロセスであって、前記ナノワイヤが、電気的又は光学的制御の作用の下で少なくとも1つの波長(λ)で放射線を放射することが可能な部分を含み、かつ少なくとも部分的に導電性上部層(60)を介して互いに電気的に接続されているプロセスにおいて、活性ナノワイヤ(NTj)の中で不良ナノワイヤ(NTi)のサブセットを特定することができる工程を含み、前記工程が、 - 前記放射波長(λ)に感受性のあるネガ型フォトレジストの層を製造し、前記ナノワイヤの前記配列を覆う段階と、 - 電気的制御又は光学的制御の下で前記ナノワイヤの配列を活性化することにより、前記活性ナノワイヤが前記放射線を放射し、前記放射線が前記ネガ型レジストの溶解度を低下させる段階と、 - 前記不良ナノワイヤ(NTi)と同じ水準の前記レジストを現像し、溶解度を低下させた区域を残し、前記活性ナノワイヤ(NTj)を囲む段階と、 - 前記不良ナノワイヤの上方の前記導電性層を除去する段階と、を含むことを特徴とするプロセスに関する。 本発明は、本発明のプロセスを使用して1つ又は複数の発光ダイオードを作製するプロセスにも関する。
請求項（抜粋）：
基板の表面上にナノワイヤ(NTn)の配列を作製するプロセスであって、前記ナノワイヤが、電気的又は光学的制御の作用の下で少なくとも1つの波長(λ)で放射線を放射することが可能な部分を含み、かつ少なくとも部分的に導電性上部層を介して互いに電気的に接続されている、プロセスにおいて、活性ナノワイヤ(NTj)の中で不良ナノワイヤ(NTi)のサブセットを特定することを可能にする工程を含み、前記工程が、 - 前記放射波長(λ)に感受性のあるネガ型フォトレジストの層を製造し、前記ナノワイヤの前記配列を覆う段階と、 - 電気的制御又は光学的制御の下で前記ナノワイヤの前記配列を活性化することにより、前記活性ナノワイヤが前記放射線を放射し、前記放射線が前記ネガ型レジストの溶解度を低下させる段階と、 - 前記不良ナノワイヤ(NTi)と同じ水準の前記レジストを現像し、溶解度を低下させた区域を残し、前記活性ナノワイヤ(NTj)を囲む段階と、 前記不良ナノワイヤの上方の前記導電性層を除去する段階と、 を含むことを特徴とする、プロセス。
IPC (3件)：
H01L 33/24 ,  H01L 33/06 ,  H01L 33/08
FI (3件)：
H01L33/00 174 ,  H01L33/00 112 ,  H01L33/00 120
Fターム (5件)：
5F241AA31 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CB25
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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