特許
J-GLOBAL ID：201603019414064390

成膜装置、基板処理装置及び成膜方法

発明者：
山涌 純

山涌 純 について

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輿水 地塩

輿水 地塩 について

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山澤 陽平

山澤 陽平 について

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立花 光博

立花 光博 について

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加藤 寿

加藤 寿 について

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小林 健

小林 健 について

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三浦 繁博

三浦 繁博 について

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木村 隆文

木村 隆文 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-273581
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120564
特許番号：特許第5939147号
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空容器内にて基板に対して成膜処理を行うための成膜装置において、 基板を載置する基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、 前記基板載置領域に処理ガスを供給する処理ガス供給部を含み、前記回転テーブルの回転に伴い基板上に分子層あるいは原子層を順次積層して薄膜を形成するための成膜領域と、 この成膜領域に対して前記回転テーブルの回転方向に離間して設けられたプラズマ発生領域にて、プラズマ発生用ガスのプラズマ化によって生成したプラズマにより前記分子層あるいは原子層を改質処理するためのプラズマ処理部と、 プラズマ中のイオンを基板の表面に引き込むために、前記回転テーブル上の基板の高さ位置よりも下方側に設けられた下側バイアス電極及び前記高さ位置と同じかあるいは当該高さ位置よりも上方側に配置された上側バイアス電極と、 これらバイアス電極の少なくとも一方に接続され、前記下側バイアス電極及び前記上側バイアス電極が前記プラズマ発生領域を介して容量結合されて基板にバイアス電位を形成するための高周波電源部と、 前記真空容器内を排気するための排気機構と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/56 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/56 ,  H05H 1/46 R ,  H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 M
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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