原子層堆積システム及び方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-549676
公開番号（公開出願番号）：特表2010-518259
出願日： 2008年02月11日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：

原子層堆積(ALD)法を用いた薄膜堆積システム及び方法。当該堆積システムは処理チャンバ(16)を有する。前記処理チャンバ(16)には、周辺側壁(36)、間仕切り(68,70,72,74)、及び大きなプレート(50)が備えられている。前記間仕切り(68,70,72,74)は、前記処理チャンバ(16)内部の処理空間(38)を少なくとも2つの分室(76,78)に分割する。前記大きなプレート(50)は前記処理空間(38)内部で基板(15)を支持する。また前記大きなプレート(50)は、静止した前記周辺側壁(36)及び分室(76,78)に対して前記基板(15)を回転させる。一の分室(76)は、前記基板(15)の各々の上に層を堆積するのに用いられる処理材料を受け取る。他の分室(78)は、不活性ガスを含む。前記処理材料を注入する材料インジェクタ(100,100a,100b)は、前記周辺側壁(36)を介して前記分室(76,78)とやり取りを行う。

請求項（抜粋）：

複数の基板を処理する堆積システムであって、当該堆積システムは: 第1壁、該第1壁から間隔を空けて設けられている第2壁、並びに、前記第1壁及び第2壁と接続して処理空間を画定する周辺側壁を有する処理チャンバ; 前記第1壁と第2壁との間であって前記周辺側壁の半径方向内部に設けられていて、前記基板を支持するように備えられている基板支持体; 各々が前記回転軸から前記周辺側壁へ向かって延在していて、前記処理空間を、第1分室、及び、不活性雰囲気を有するように備えられている第2分室に分割する複数の間仕切り; 前記周辺側壁を介して前記第1分室とやり取りし、かつ前記第1分室へ第1処理材料を注入するように備えられている第1インジェクタ; を有し、前記基板支持体は、前記基板の各々を動かすことで、前記基板の各々の上側表面を、前記第1分室内において前記第1材料に、及び前記第2分室内において前記不活性雰囲気に、順次曝露する、堆積システム。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , H01L 21/31

FI (2件)：

C23C16/44 A , H01L21/31 B

Fターム (32件)：

4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA08 , 4K030KA12 , 4K030KA41 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AE01 , 5F045BB08 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DQ12 , 5F045EB02 , 5F045EC01 , 5F045EE14 , 5F045EF01 , 5F045EF13 , 5F045EK07 , 5F045EM02

引用特許：

審査官引用 (5件)

真空成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-130851 出願人：株式会社アルバック
成膜装置および成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-000183 出願人：東京エレクトロン株式会社
CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-208460 出願人：キヤノンアネルバ株式会社

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