特許
J-GLOBAL ID：201603019651331009

フォトレジスト材料、及びフォトレジスト膜の形成方法

発明者：
矢木 直人

矢木 直人 について

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植村 幸司

植村 幸司 について

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宍倉 朋子

宍倉 朋子 について


出願人/特許権者：
DIC株式会社

DIC株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 通洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-061946
公開番号（公開出願番号）：特開2012-215851
特許番号：特許第6032461号
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】一般式(2)または一般式(1)および一般式(2)で表される構造単位と、シラノール基および/または加水分解性シリル基とを有するポリシロキサンセグメント(a1)と、酸基を有するビニル系重合体セグメント(a2)とが、一般式(3)で表される結合により結合された複合樹脂(A)を含有するフォトレジスト材料であって、前記ポリシロキサンセグメント(a1)の含有率がフォトレジスト材料の全固形分量に対して10〜90重量%であり、且つ前記複合樹脂(A)の固形分の酸価が40〜400KOHmg/gであることを特徴とするフォトレジスト材料。 (1) (2) (一般式(1)及び(2)中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立して、-R4-CH=CH2、-R4-C(CH3)=CH2、-R4-O-CO-C(CH3)=CH2、及び-R4-O-CO-CH=CH2からなる群から選ばれる1つの重合性二重結合を有する基(但しR4は単結合又は炭素原子数1〜6のアルキレン基を表す。)、炭素原子数が1〜6のアルキル基、炭素原子数が3〜8のシクロアルキル基、アリール基、または炭素原子数が7〜12のアラルキル基を表し、ポリシロキサンセグメント(a1)が一般式(2)で表される構造単位のみを有する場合にはR2及び/又はR3が前記重合性二重結合を有する基であり、ポリシロキサンセグメント(a1)が一般式(1)と一般式(2)で表される構造単位の両方を有する場合には、R1、R2及びR3の少なくとも1つが重合性二重結合を有する基である) (3) (一般式(3)中、炭素原子は前記ビニル系重合体セグメント(a2)の一部分を構成し、酸素原子のみに結合したケイ素原子は、前記ポリシロキサンセグメント(a1)の一部分を構成するものとする)
IPC (2件)：
G03F 7/075 ( 200 6.01) ,  G03F 7/038 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/038 501
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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