半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：筒井大和 , 菅田篤志 , 筒井章子 , 坂次哲也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-156891
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022413
特許番号：特許第5985282号
出願日： 2012年07月12日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】電界効果トランジスタを含み、前記電界効果トランジスタは、 (a)窒化物半導体層と、 (b)前記窒化物半導体層とオーミック接触し、かつ、互いに離間して配置された複数の第1単位電極からなる第1オーミック電極と、 (c)前記窒化物半導体層とオーミック接触し、かつ、互いに離間して配置された複数の第2単位電極からなる第2オーミック電極であって、前記第1オーミック電極とは離間して設けられた前記第2オーミック電極と、 (d)前記第1オーミック電極と前記第2オーミック電極とに挟まれるように形成されたゲート電極と、 (e)前記第1オーミック電極と前記第2オーミック電極とを覆うように形成された絶縁膜と、 (f)前記絶縁膜に設けられ、前記第1オーミック電極を構成する前記複数の第1単位電極のそれぞれに達する複数の第1開口部と、 (g)前記絶縁膜に設けられ、前記第2オーミック電極を構成する前記複数の第2単位電極のそれぞれに達する複数の第2開口部と、 (h)前記複数の第1開口部の内部から前記絶縁膜上にわたって設けられ、かつ、前記第1オーミック電極と電気的に接続されるソース電極と、 (i)前記複数の第2開口部の内部から前記絶縁膜上にわたって設けられ、かつ、前記第2オーミック電極と電気的に接続されるドレイン電極であって、前記ソース電極と電気的に分離された前記ドレイン電極と、を備える半導体装置。

IPC (13件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 29/417 ( 200 6.01) , H01L 21/768 ( 200 6.01) , H01L 23/522 ( 200 6.01) , H01L 21/3205 ( 200 6.01) , H01L 23/532 ( 200 6.01) , H01L 29/41 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H02M 7/5387 ( 200 7.01)

FI (12件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/28 301 B , H01L 21/28 301 R , H01L 29/50 M , H01L 21/90 B , H01L 21/88 R , H01L 21/88 N , H01L 29/44 L , H01L 29/80 H , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 W , H02M 7/538 Z

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-010474
特開昭60-198862
双方向スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-270917 出願人：パナソニック株式会社

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審査官引用 (4件)

特開平4-010474
特開昭60-198862
双方向スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-270917 出願人：パナソニック株式会社

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