特許

J-GLOBAL ID：201203053883205267

窒化物半導体装置

発明者： 海原 一裕 ,  上田 哲三 ,  石田 秀俊
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (19件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也 ,  河部 大輔 ,  長谷川 雅典 ,  岩下 嗣也 ,  福本 康二 ,  前田 亮 ,  間脇 八蔵 ,  松永 裕吉 ,  川北 憲司 ,  岡澤 祥平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-157574
公開番号（公開出願番号）：特開2012-023074
出願日： 2010年07月12日
公開日（公表日）： 2012年02月02日
要約：

【課題】活性層の上に電極パッドを形成する場合に生じる問題を解決し、オン抵抗の上昇を抑えた窒化物半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】窒化物半導体装置は、活性領域102Aを有する窒化物半導体層積層体102と、活性領域の上に互いに間隔をおいて形成されたフィンガー状の第1の電極131及び第2の電極132とを備えている。第1の電極の上に接して第1の電極配線151が形成され、第2の電極の上に第2の電極配線152が接して形成されている。第1の電極配線及び第2の電極配線を覆うように第2の絶縁膜が形成され、第2の絶縁膜の上に第1の金属層161が形成されている。第1の金属層は、第2の絶縁膜を介して活性領域の上に形成され、第1の電極配線と接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に形成され、素子分離領域に囲まれた活性領域を有する窒化物半導体層積層体と、 前記活性領域の上に互いに間隔をおいて形成されたフィンガー状の第1の電極及び第2の電極と、 前記第1の電極及び第2の電極を覆い、前記第1の電極の上面を露出する第1の開口部及び前記第2の電極の上面を露出する第2の開口部を有する第1の絶縁膜と、 前記第1の電極の上に形成され、前記第1の開口部において前記第1の電極と接する第1の電極配線と、 前記第2の電極の上に形成され、前記第2の開口部において前記第2の電極と接する第2の電極配線と、 前記第1の電極配線及び第2の電極配線を覆う第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜を介して前記活性領域の上に形成され、前記第1の電極配線と接続された第1の金属層とを備えていることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/417

FI (7件)：

H01L21/28 301B ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 L ,  H01L29/80 F ,  H01L21/88 T ,  H01L29/48 F ,  H01L29/50 J

Fターム (75件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD68 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104FF27 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM30 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033XX07 ,  5F033XX10 ,  5F033XX13 ,  5F033XX14 ,  5F033XX19 ,  5F033XX24 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS03 ,  5F102GS09 ,  5F102GV03 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-397982   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 特開平2-268467
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238103   出願人：三洋電機株式会社
• 窒素化合物含有半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-177151   出願人：株式会社東芝