特許
J-GLOBAL ID:201003059524564352
双方向スイッチ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (11件):
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-270917
公開番号(公開出願番号):特開2010-103158
出願日: 2008年10月21日
公開日(公表日): 2010年05月06日
要約:
【課題】1つの単位セルに含まれる第1のゲート電極と第2のゲート電極との間の配線抵抗の差が小さく、スイッチングロスを低減した双方向スイッチを実現できるようにする。【解決手段】双方向スイッチは、第1のオーミック電極15、第1のゲート電極17、第2のゲート電極18及び第2のオーミック電極16を有する複数の単位セル11を備えている。第1のゲート電極15は、第1の引き出し配線31を介して第1のゲート電極パッド43と電気的に接続されている。第2のゲート電極18は、第2の引き出し配線32を介して第2のゲート電極パッド44と電気的に接続されている。第1のゲート電極パッド43との間の配線距離が最も短い第1のゲート電極17を有する単位セル11は、第2のゲート電極パッド44との間の配線距離が最も短い第2のゲート電極18を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板の上に形成された半導体層並びに該半導体層の上に互いに間隔をおいて順次形成された第1のオーミック電極、第1のゲート電極、第2のゲート電極及び第2のオーミック電極を有する複数の単位セルと、
前記半導体層の上に形成され、前記第1のゲート電極同士を電気的に接続して前記第1のゲート電極と交差する方向に延びる第1の引き出し配線と、
前記単位セルを挟んで第1の引き出し配線と反対側に形成され、前記第2のゲート電極同士を接続して前記第2のゲート電極と交差する方向に延びる第2の引き出し配線と、
前記第1の引き出し配線と電気的に接続された第1のゲート電極パッドと、
前記第2の引き出し配線と電気的に接続された第2のゲート電極パッドとを備え、
前記複数の単位セルのうちの、前記第1のゲート電極パッドとの間の配線距離が最も短い第1のゲート電極を有する単位セルは、前記第2のゲート電極パッドとの間の配線距離が最も短い第2のゲート電極を有することを特徴とする双方向スイッチ。
IPC (8件):
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/28
, H01L 29/417
, H01L 21/337
, H01L 29/808
, H01L 29/80
FI (6件):
H01L29/80 L
, H01L29/80 H
, H01L21/28 301B
, H01L29/50 J
, H01L29/80 C
, H01L29/80 W
Fターム (27件):
4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA05
, 4M104BB05
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD68
, 4M104FF13
, 4M104GG20
, 5F102GB01
, 5F102GB02
, 5F102GC01
, 5F102GC05
, 5F102GD01
, 5F102GD04
, 5F102GD10
, 5F102GJ03
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM09
, 5F102GQ01
, 5F102GS01
, 5F102GS09
, 5F102GT03
, 5F102GV03
, 5F102HC01
引用特許:
出願人引用 (1件)
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III族窒化膜双方向スイッチ
公報種別:公表公報
出願番号:特願2006-553318
出願人:インターナショナルレクティファイアーコーポレイション
審査官引用 (11件)
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III族窒化膜双方向スイッチ
公報種別:公表公報
出願番号:特願2006-553318
出願人:インターナショナルレクティファイアーコーポレイション
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特公平6-069100
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特公平6-069100
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