特許
J-GLOBAL ID：201603019730392935
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人前田特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-516649
特許番号：特許第5948668号
出願日： 2013年04月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 パワー半導体素子及び第1放熱板を内部に有し、主回路端子及び制御端子が引き出されたブロックモジュールと、
前記制御端子に接続された制御基板と、
前記ブロックモジュール及び前記制御基板を収容する外装体と、
接続ネジにより前記外装体が固定された第2放熱板と、を備え、
前記接続ネジは、前記第2放熱板の表面の法線に対して傾斜角度θで傾斜して挿入されており、
前記主回路端子は、前記外装体に形成された接続端子と固定されており、
前記外装体は、前記第2放熱板に固定されていない状態の前記外装体の底面に該外装体の外側から内側に向けて上方に角度θで傾斜する傾斜面を有し、前記外装体は、前記第2放熱板に固定された状態では固定されていない状態における前記傾斜面が第2放熱板と接触しており、
前記ブロックモジュールの底面と前記第2放熱板の表面とは密着している、
半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/40 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H05K 7/20 ( 200 6.01)
H01L 23/40 Z
, H01L 25/04 C
, H05K 7/20 D
