特許
J-GLOBAL ID：201603019852838020
レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-233750
公開番号（公開出願番号）：特開2014-085472
特許番号：特許第5941820号
出願日： 2012年10月23日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有し、
前記基材成分(A)が、-NH-SO2-含有環式基を含む構成単位(a0)と、露光により酸を発生する構成単位(a6)と、を有する高分子化合物(A1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, C08F 20/38 ( 200 6.01)
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 A
, C08F 20/38
