特許

J-GLOBAL ID：201603020145982776

半導体装置およびその製造方法

発明者： 吉持 賢一
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-107673
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235972
特許番号：特許第6021246号
出願日： 2012年05月09日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型の半導体層に形成された第2導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域を挟んで間隔を開けて前記半導体層に形成された前記第1導電型のソース領域およびドレイン領域と、 前記ソース領域を貫通して前記ボディ領域に達するように前記半導体層に形成されたソーストレンチと、 前記ソーストレンチの底部において前記ボディ領域内に形成され、前記第2導電型で前記ボディ領域よりも不純物濃度の高いボディコンタクト領域と、 前記ソーストレンチに埋め込まれたソース電極と、 前記ソース領域および前記ドレイン領域の間の前記ボディ領域の表面にゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極と、 前記半導体層に設けられた前記第1導電型のダイオード領域と、 前記ダイオード領域に形成されたダイオードトレンチと、 前記ダイオードトレンチの底部において前記ダイオード領域内に形成され、前記第2導電型を有し、前記第1導電型の前記ダイオード領域との間にpn接合を形成するpnダイオード領域と、 前記ダイオードトレンチの側壁において前記ダイオード領域にショットキ接合されたショットキ電極と を含み、 前記ソーストレンチが前記半導体層の表面に第1方向に沿って直線状に形成されており、 前記ダイオードトレンチが前記半導体層の表面に、前記第1方向に直交する第2方向に沿って、直線状に形成されている、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-125675   出願人：株式会社東芝
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-335530   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-268459   出願人：日本碍子株式会社